特許

J-GLOBAL ID：200903045160833237

ダイヤモンド薄膜の製造方法およびダイヤモンド基板

発明者： 戸田 直大 ,  富川 唯司 ,  藤田 順彦
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-309656
公開番号（公開出願番号）：特開平5-117086
出願日： 1991年10月28日
公開日（公表日）： 1993年05月14日
要約：

【要約】【目的】 半導体基板や、超硬工具等に使うことのできる大面積の平滑な多結晶ダイヤモンド基板、単結晶ダイヤモンド基板を大量安価に製造する事。【構成】 BPの基板の上にc-BNまたはBPx N1-x の混晶を成長させこの上にダイヤモンドを気相成長させる。BPx N1-x の混晶比xは一定値であってもよいがより好ましくはBP基板から離れるに従って減少するようにする。

請求項（抜粋）：

燐化硼素上に窒化硼素或は燐化窒化硼素を合成した基板の上に気相成長法によってダイヤモンド薄膜を形成する事を特徴とするダイヤモンド薄膜の製造方法。

IPC (6件)：

C30B 29/04 ,  C23C 16/02 ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/34 ,  C23C 28/04 ,  H01L 21/205