超高配向窒化アルミニウム薄膜を用いた圧電素子とその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (2件)：今下勝博 , 岡田賢治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-160568
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006535
出願日： 2002年05月31日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】本発明は、ガラス基板等の安価な基板上に密着層を介さずにW層で下部電極を形成することにより、ヒロックやクラック、剥離がなく、しかもc軸に超高配向した窒化アルミニウム薄膜を形成させた高性能の圧電素子を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、基板上に下部電極、圧電体薄膜、上部電極を順次形成した積層構造を有するヒロック、クラック及び剥離のない圧電素子であって、下部電極は基板面に対してWの(111)面が平行である配向性W層で形成し、且つ圧電体薄膜はロッキングカーブ半値幅(RCFWHM)が2.5°以下のc軸配向窒化アルミニウム薄膜で形成したことを特徴とする超高配向窒化アルミニウム薄膜を用いた圧電素子。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に下部電極、圧電体薄膜、上部電極を順次形成した積層構造を有するヒロック、クラック及び剥離のない圧電素子であって、前記下部電極は基板面に対してWの(111)面が平行である配向性W層で形成し、且つ前記圧電体薄膜はロッキングカーブ半値幅(RCFWHM)が2.5°以下のc軸配向窒化アルミニウム薄膜で形成したことを特徴とする超高配向窒化アルミニウム薄膜を用いた圧電素子。

IPC (4件)：

H01L41/09 , C23C14/34 , H01L41/18 , H01L41/22

FI (4件)：

H01L41/08 C , C23C14/34 N , H01L41/18 101Z , H01L41/22 Z

Fターム (10件)：

4K029AA09 , 4K029AA24 , 4K029BA02 , 4K029BA04 , 4K029BA05 , 4K029BA13 , 4K029BA58 , 4K029BB02 , 4K029BD00 , 4K029CA05

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