特許

J-GLOBAL ID：200903045162808019

液相エピタキシャル成長装置および液相エピタキシャル成長方法

発明者： 智者 多永子
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-128583
公開番号（公開出願番号）：特開2000-319091
出願日： 1999年05月10日
公開日（公表日）： 2000年11月21日
要約：

【要約】【課題】 基板の中心部と外周部との成長層の厚みを均一にし、大量生産を可能にする。【解決手段】 回転体3は、蓋部16によって成長室6の開口部15を閉鎖する。蓋部16には、回転リング17および回転棒保持部18を設ける。こうして、成長時には、回転棒13によって基板保持部7と回転体3とを回転し、回転リング17によって成長融液の攪拌を促進する。その結果、成長速度が一定になって周辺部と中心部との成長層の厚みが均一になる。また、その場合の攪拌は大量生産を妨げない。さらに、成長終了後の雰囲気ガス中での冷却時には、基板保持部7および回転体3の回転を停止して、蓋部16で成長室6の開口部15を閉鎖する。こうして、雰囲気ガスと基板12および成長融液との接触を防止して、基板12の周囲における異常成長を抑制する。

請求項（抜粋）：

雰囲気ガスによって、エピタキシャル成長に必要なドーパントを成長ボート中の成長融液に供給する液相エピタキシャル成長装置において、上記成長ボートは成長室を有し、上記成長室の開口部を閉鎖して、上記雰囲気ガスと成長融液および基板との接触を遮断する蓋部を備えたことを特長とする液相エピタキシャル成長装置。

IPC (3件)：

C30B 19/00 ,  H01L 21/208 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

C30B 19/00 Z ,  H01L 21/208 Z ,  H01L 33/00 B

Fターム (24件)：

4G077AA03 ,  4G077BE42 ,  4G077QA01 ,  4G077QA27 ,  4G077QA54 ,  4G077QA66 ,  5F041AA31 ,  5F041CA02 ,  5F041CA37 ,  5F041CA57 ,  5F041CA63 ,  5F053AA08 ,  5F053AA48 ,  5F053BB03 ,  5F053BB32 ,  5F053DD07 ,  5F053FF05 ,  5F053GG01 ,  5F053HH04 ,  5F053JJ01 ,  5F053KK01 ,  5F053LL02 ,  5F053RR01 ,  5F053RR05