特許
J-GLOBAL ID：200903045166099900
電子放出素子およびその製造方法、並びに表示装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-122826
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277004
出願日： 1999年03月25日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：
【要約】【課題】 電界放出特性に優れた電子放出部(エミッタ)が密に形成された電子放出素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 下地基板11上にカソード電極12および抵抗層13が積層され、抵抗層13の上に接着層14を介してN(窒素)-dopedダイヤモンドよりなる多数のエミッタ15がランダムに設けられている。エミッタ15は、シリコン基板31の表面に陽極化成法により形成された多孔質シリコンよりなる鋳型(鋳型層33′)を用いて形成され、その後、下地基板11側に転写されたものである。陽極化成の条件を調整することにより、鋳型の径および高さを制御することができるため、エミッタ15の底面積を極めて小さくすることができると共に、先鋭な形状とすることができる。よって、エミッタ15の集積度が向上すると共に、得られた電界放出型カソードでは、電界集中が起こりやすくなる。
請求項（抜粋）：
転写用基板を陽極として電気分解を行うことにより、前記転写用基板に鋳型層を形成する工程と、前記鋳型層に電子放出物質を充填し、電子放出部を形成する工程と、前記電子放出部に基板を固着させた後、前記転写用基板および前記鋳型層を除去することにより、前記電子放出部を前記基板に転写させる工程とを含むことを特徴とする電子放出素子の製造方法。
IPC (4件)：
H01J 9/02
, H01J 1/304
, H01J 29/04
, H01J 31/12
H01J 9/02 B
, H01J 1/30 F
, H01J 29/04
, H01J 31/12 C
5C031DD09
, 5C031DD19
, 5C036EF01
, 5C036EF06
, 5C036EG02
, 5C036EG12
