特許

J-GLOBAL ID：200903045169138906

堆積膜及びその形成方法

発明者： 狩谷 俊光 ,  斉藤 恵志
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-347466
公開番号（公開出願番号）：特開平6-192827
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月12日
要約：

【要約】【目的】 大面積基板に高速度で反応性スパッタリングし、しかも均一な堆積膜を得ること。【構造】 真空容器内部に堆積膜の構成元素の少なくとも一種を含有するターゲット116と、マイクロ波導入窓113とを有し、ターゲットとマイクロ波導入窓とは互いに最短距離が50〜200mmとなるように配設してなり、電界方向とターゲット面とが平行であるマイクロ波をマイクロ波導入窓を通して、反応性ガスに照射してプラズマを発生させ、ターゲット表面上にプラズマ中のイオンを照射し、被堆積物をターゲットより分離し、飛翔せしめて、ターゲットに対面する基板104の表面上に被堆積物を付着させ、被堆積物とプラズマ中のラジカルを反応させることによって、反応性ガスの構成元素を含有する堆積膜を生成する堆積膜生成装置。

請求項（抜粋）：

真空容器内部に、堆積膜の構成元素の少なくとも一種を含有するターゲットを、誘電体からなるマイクロ波導入窓との最短距離が50〜200mmとなるように配設し、真空容器内部に反応性ガスを導入し、電界方向と前記ターゲット面とが平行となるようにマイクロ波を前記マイクロ波導入窓を通して前記反応性ガスに照射してプラズマを発生させ、前記ターゲット表面上に該プラズマ中のイオンを照射することにより、前記ターゲットに対面して配置された基体の表面上に被堆積物を付着させるとともに当該被堆積物とプラズマ中のラジカルを反応させて、前記反応性ガスの構成元素を含有する前記堆積膜を該基体表面上に形成することを特徴とする堆積膜形成方法。

IPC (2件)：

C23C 14/34 ,  H01L 21/31