特許
J-GLOBAL ID：200903045175523544
炭化珪素単結晶インゴットの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-084854
公開番号（公開出願番号）：特開2002-274995
出願日： 2001年03月23日
公開日（公表日）： 2002年09月25日
要約：
【要約】【課題】 この発明は、低欠陥かつ結晶性の良い単結晶炭化珪素ウェハを取り出せる炭化珪素単結晶を歩留りよく安定に製造する方法を提供することを目的とする。【解決手段】 種結晶を用いた昇華再結晶法により炭化珪素単結晶を成長させる方法において、雰囲気圧力を結晶成長温度到達後に低下させる際に、成長用坩堝温度を降下させ、減圧時の一時的な坩堝内温度上昇を抑制する。
請求項（抜粋）：
昇華再結晶法により種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させる工程を包含する炭化珪素単結晶の製造方法であって、結晶成長時の雰囲気圧力を低下させる際に、坩堝温度を降下させることを特徴とする炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。
Fターム (6件)：
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077DA18
, 4G077EA04
, 4G077SA01
, 4G077SA07
