特許

J-GLOBAL ID：200903045179951370

電子デバイス及びその製造方法

発明者： 小松 隆宏 ,  行徳 明 ,  原 慎太郎 ,  中島 寛 ,  高 大為 ,  村岡 克紀 ,  古川 勝彦
出願人/特許権者： 九州松下電器株式会社 ,  中島 寛
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-262052
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085157
出願日： 1999年09月16日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】 有機エレクトロルミネッセンス素子をはじめとする電子デバイスに、低温で成膜でき、かつ緻密で外部からの水分、酸素等の侵入を防ぐことが可能な保護膜が形成された電子デバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 電気的に機能する電子デバイスであって、その外表面の少なくとも一部分がECRプラズマスパッタリング法によって形成されたシリコン窒化酸化物(SiON)によって保護されていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

少なくとも一層の保護膜によって保護されている電子デバイスの製造方法であって、この保護膜の形成がECR(electron cyclotron resonance)プラズマスパッタリング法によって行われることを特徴とする電子デバイスの製造方法。

IPC (5件)：

H05B 33/04 ,  G09F 9/00 302 ,  G09F 9/00 342 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14

FI (5件)：

H05B 33/04 ,  G09F 9/00 302 ,  G09F 9/00 342 C ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A

Fターム (20件)：

3K007AB00 ,  3K007AB12 ,  3K007AB13 ,  3K007BB00 ,  3K007BB01 ,  3K007CA01 ,  3K007CB01 ,  3K007DA00 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007FA00 ,  3K007FA01 ,  3K007FA02 ,  3K007FA03 ,  5G435AA07 ,  5G435AA13 ,  5G435BB05 ,  5G435FF08 ,  5G435GG25 ,  5G435KK10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 発光素子及び発光素子用の保護材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-269218   出願人：カシオ計算機株式会社
• 有機電界発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-311803   出願人：三菱化学株式会社
• 磁気ディスクの作製方法及びそれを用いた磁気記録装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-148931   出願人：株式会社日立製作所, 日立マクセル株式会社
• 化合物半導体受光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-057705   出願人：株式会社日立製作所