特許
J-GLOBAL ID：200903045182271585
シヨツトキ障壁を有する半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 敬一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-263644
公開番号（公開出願番号）：特開平5-075101
出願日： 1991年09月10日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】バリアハイトΦBの高さを広範囲に且つ安定に制御でき所望の高さのバリアハイトΦBを備えたショットキ障壁を有する半導体装置を提供する。【構成】 Ti薄層(4)とAl層(5)との間に酸素分子等を含有する吸着層を介在させ、n形領域(3)、Ti薄層(4)及びAl層(5)の組み合わせにより生成されるショットキ障壁のバリアハイトΦBの熱処理による変動を抑制する。
請求項（抜粋）：
半導体領域の主面に形成された第1の電極層と、該第1の電極層の上に形成された第2の電極層と、前記第1の電極層と前記第2の電極層との間に形成されかつ量子力学的なトンネル効果を生ずることのできる厚さを有する薄膜とを備え、前記半導体領域、前記第1の電極層及び前記第2の電極層との組み合わせによりショットキ障壁が生成されることを特徴とするショットキ障壁を有する半導体装置。
引用特許：
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