特許
J-GLOBAL ID：200903045189928636
ホール素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-208866
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061545
出願日： 1992年08月05日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：
【要約】【目的】 GaAsホール素子の高感度化を図る。【構成】 活性層等が形成されたGaAs基板(1)に対して、磁性材料であるフェライトを溶媒により液状にして回転塗布及びエッチングを行うことにより、基板表面の活性層に近接した位置にフェライト膜(4)を形成する。
請求項（抜粋）：
GaAs基板の表面に活性層を形成してなるホール素子の製造方法において、磁性材料であるフェライトを溶媒により液状にして回転塗布及びエッチングを行うことにより、GaAs基板表面の活性層に近接した位置にフェライト膜を形成することを特徴とするホール素子の製造方法。
引用特許：
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