特許
J-GLOBAL ID：200903045192634910
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-230628
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086236
出願日： 1993年09月17日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：
【要約】【目的】半導体製造装置の酸化膜エッチングにおいて、シリコン及びシリコン窒化膜、窒化チタンに対して高い選択比を得ること。【構成】本発明は、フロロカーボンガスを用いたドライエッチングにより酸化膜にホールを形成する工程において、プラズマ中で生成されるデポジション膜の組成の内、炭素の含有量が50%以上望ましくは80%以上で且つ、フッ素の含有量が50以下望ましくは20%以下である、エッチングガスもしくはガスプラズマを用いることにより、高選択酸化膜エッチングを実現する。
請求項（抜粋）：
フロロカーボンガスを用いたドライエッチングにより酸化膜にホールを形成する工程に於いて、プラズマ中で生成されるデポジション膜の組成が、炭素の含有量が50%以上望ましくは80%以上で且つ、フッ素の含有量が50以下望ましくは20%以下であることを特徴とするとする半導体装置の製造方法。
引用特許：
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