特許
J-GLOBAL ID：200903045196979262
SRAM装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-349532
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181199
出願日： 1995年12月22日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【課題】 高集積化と安定動作が可能なSRAM装置および製造方法を得る。【解決手段】 シリコン基板11および素子分離領域12a,12bに形成された溝13aの内側面に、直列接続された2個のワードトランジスタTrW2a,TrW2bのゲート電極となるポリシリコン側壁16a,16bを形成し、溝13bの内側面に、ドライバトランジスタTrD2のゲート電極となるポリシリコン側壁16dを形成する。溝13aの底部にはTrW2a,TrW2bのソース・ドレインとなる不純物拡散層15bを形成し、溝13aの両側のシリコン基板11表面にはTrW2aのソースとなる不純物拡散層15aと、TrW2bのドレインとなる不純物拡散層15cとを形成する。溝13bの底部には、TrD2のドレインとなる不純物拡散層15dを形成し、溝13bの隣のシリコン基板11表面には、TrD2のソースとなる不純物拡散層15eを形成する。
請求項（抜粋）：
メモリセル形成領域における半導体基板および素子間分離用絶縁層に形成された溝と、前記溝の側壁を利用して形成された1対のワードトランジスタと、前記溝の側壁を利用して形成された1対のドライバトランジスタとを備えたことを特徴とするSRAM装置。
IPC (2件)：
H01L 21/8244
, H01L 27/11
