特許
J-GLOBAL ID：200903045199919953
半導体部材の製造方法および半導体部材
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-365132
公開番号（公開出願番号）：特開平11-243039
出願日： 1998年12月22日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：
【要約】【課題】 多孔質と基板との界面の凹凸が少なく、分離位置の再現性が高い、低コストな製造方法とする。【解決手段】 半導体基板11の少なくとも一つの表面側に導電型を制御し得る元素を添加した添加層12を形成し、添加層の表面を、添加層の厚さより薄い多孔質層を得るために多孔質化し、多孔質層13上に非多孔質層14を形成して第1の基体を用意する工程、第1の基体と第2の基体16とを非多孔質層が内側に位置する多層構造体が得られるように貼り合わせる工程、多孔質層より多層構造体を分離する工程、を有する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の少なくとも一つの表面側に導電型を制御し得る元素を添加した添加層を形成し、該添加層の表面を、該添加層の厚さより薄い多孔質層を得るために多孔質化し、該多孔質層上に非多孔質層を形成して第1の基体を用意する工程、前記第1の基体と第2の基体とを前記非多孔質層が内側に位置する多層構造体が得られるように貼り合わせる工程、前記多孔質層より前記多層構造体を分離する工程、を有することを特徴とする半導体部材の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/02 B
, H01L 27/12 B
