半導体装置用セラミックス基板

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：篠部正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-291827
公開番号（公開出願番号）：特開2000-119071
出願日： 1998年10月14日
公開日（公表日）： 2000年04月25日
要約：

【要約】【課題】セラミックス板と銅板とを接合した半導体用セラミックス基板において、反りやクラックが無く、温度サイクルに対する信頼性の高い半導体用セラミックス基板を提供する。【解決手段】窒化アルミニウム薄板、窒化けい素薄板、アルミナ薄板等のセラミックス板と銅板とを、純アルミニウムまたは、Al-Si合金、Al-Cu合金、Al-Ti等のAl合金で接合する。特に接合層の厚さを、10〜200μmの範囲にする。

請求項（抜粋）：

セラミックス板と銅板とが接合された半導体装置用セラミックス基板において、セラミックス板と銅板とがアルミニウムまたはアルミニウム合金の層を介して接合されたことを特徴とする半導体装置用セラミックス基板。

IPC (4件)：

C04B 37/02 , H01L 23/14 , H01L 23/373 , B23K 35/28 310

FI (4件)：

C04B 37/02 B , B23K 35/28 310 A , H01L 23/14 M , H01L 23/36 M

Fターム (12件)：

4G026BA03 , 4G026BA16 , 4G026BA17 , 4G026BB22 , 4G026BF20 , 4G026BF24 , 4G026BG02 , 4G026BH07 , 5F036AA01 , 5F036BB08 , 5F036BD01 , 5F036BD13

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平4-037661
金属-セラミックス複合基板及びその製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-358797 出願人：同和鉱業株式会社
特開昭63-230578

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