特許
J-GLOBAL ID：200903045210585094
接合型電界効果トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-354346
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175238
出願日： 1991年12月20日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 接合型FETに放射線が照射された際におけるソース又はドレインとゲートとの逆バイアス時におけるリーク電流の増加を防止する。【構成】 第1導電型の半導体層3に第2導電型のソース・ドレイン領域4,5を有し、かつ絶縁膜として熱酸化膜9と窒化膜10を有する接合型FETにおいて、ソース・ドレイン領域4,5内に夫々第2導電型の高濃度領域11,12を有している。このため、放射線の照射により熱酸化膜中に正の電荷として正孔が生じても、ソース・ドレイン領域4,5内の高濃度領域11,12が反転されることはなく、逆バイアス時のリーク電流の増大を抑制する。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体層に第2導電型ソース・ドレイン領域を有し、前記ソースとドレイン領域間に第2導電型のチャネル領域と第1導電型のゲート領域を有し、かつ表面に絶縁膜として熱酸化膜と窒化膜の積層膜を有する接合型電界効果トランジスタにおいて、前記ソース・ドレイン領域内に第2導電型の高濃度領域を有することを特徴とする接合型電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/337
, H01L 29/808
