特許
J-GLOBAL ID：200903045214118857
還元及び酸化電位を有する求核アミン化合物を含む洗浄剤組成物およびこれを使用した基板の洗浄方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
片山 英二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-237904
公開番号（公開出願番号）：特開平11-194505
出願日： 1993年07月09日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：
【要約】【目的】酸化及び還元電位を有する少なくとも1つの求核アミン化合物と、求核アミン化合物と混和可能な少なくとも1つの溶剤と、水とを含むレジスト及びエッチング残分除去組成物、及びこの組成物を使用し、レジストを除去してマイクロ回路基板を洗浄する方法を提供すること。【構成】酸化及び還元電位を有する少なくとも1つの求核アミン化合物と、少なくとも1つの有機溶剤と、水とを含む、基板からレジスト及びエッチング残分を除去するための組成物について説明している。
請求項（抜粋）：
下記(a)、(b)及び(c)を含む、レジスト及びエッチング残留物の除去用組成物:(a)下記化学式1及び2で示す化合物及び下記化学式3で示すヒドラジンからなる群から選ばれた酸化および還元電位を有する求核アミン化合物の1種または2種以上を約5〜約50重量%、【化1】[式中、R5、R6及びR7は、それぞれ独立に、水素、ヒドロキシル基、置換されたC1-C6直鎖アルキル、分枝鎖アルキル、またはシクロアルキル、アルケニルまたはアルキニル基、置換されたアシル基、直鎖アルコキシまたは分枝鎖アルコキシ基、アミジル基、カルボキシル基、アルコキシアルキル基、アルキルスルホニル基、又はスルホン酸基、またはそれらの塩及びそれらの誘導体であり、かつ式中のR5、R6及びR7の全部が水素であることはない]【化2】[式中、R8、R9及びR10は、それぞれ独立に、水素、置換されたC1-C6直鎖アルキル、分枝鎖アルキル、またはシクロアルキル、アルケニルまたはアルキニル基、置換されたアシル基、直鎖アルコキシまたは分枝鎖アルコキシ基、アミジル基、カルボキシル基、アルコキシアルキル基、アルキルスルホニル基、又はスルホン酸基、またはそれらの塩であり、かつ式中のR8、R9及びR10の全部が水素であることはない]及び【化3】[式中、R11、R12、R13及びR14は、それぞれ独立に、水素、ヒドロキシル基、置換されたC1-C6直鎖アルキル、分枝鎖アルキル、またはシクロアルキル、アルケニルまたはアルキニル基、置換されたアシル基、直鎖アルコキシまたは分枝鎖アルコキシ基、アミジル基、カルボキシル基、アルコキシアルキル基、アルキルスルホニル基、又はスルホン酸基、またはそれらの塩であり、かつ式中のR11、R12、R13及びR14の全部が水素であることはない];(b)前記求核アミン化合物と混和可能な有機溶剤の1種または2種以上を約10〜約80重量%;及び、(c)水、であって、前記求核アミン化合物と有機溶剤とが、基板からレジスト及びエッチング残留物を除去するのに十分な量で存在している組成物。
IPC (6件)：
G03F 7/32 501
, C11D 7/32
, C11D 7/50
, C11D 7/60
, G03F 7/42
, H01L 21/304 647
G03F 7/32 501
, C11D 7/32
, C11D 7/50
, C11D 7/60
, G03F 7/42
, H01L 21/304 647 A
