特許
J-GLOBAL ID：200903045216970470
電流センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-065429
公開番号（公開出願番号）：特開2002-082136
出願日： 2001年03月08日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
要約：
【要約】【課題】 基板配線に流れる微小電流を精度良く検出でき、しかも簡易な構造で基板実装に適した電流センサを提供する。【解決手段】 被測定電流が流れる被検出配線3が形成されたプリント基板1aと、このプリント基板1aと略平行に配置されたセラミクス基板7aと、このセラミクス基板7aの一方の面に形成され、被検出配線3に接触又は接合された導電膜16と、セラミクス基板7aの他方の面に形成され、磁性層と非磁性層とが交互に複数回積層された多層膜を有し、該多層膜に印加される磁界の変化に応じて抵抗値が変化するGMR膜9と、このGMR膜9に一定のバイアス磁界を印加するバイアス磁石13とを備えることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
被測定電流が流れる被検出配線が形成された第1の基板と、この第1の基板と略平行に配置された第2の基板と、この第2の基板の一方の面に形成され、前記被検出配線に接触又は接合された導電膜と、前記第2の基板の他方の面に形成され、磁性層と非磁性層とが交互に複数回積層された多層膜を有し、該多層膜に印加される磁界の変化に応じて抵抗値が変化する磁気抵抗手段と、この磁気抵抗手段に一定のバイアス磁界を印加するバイアス磁界印加手段と、を備えることを特徴とする電流センサ。
IPC (3件)：
G01R 15/20
, G01R 33/09
, H01L 43/08
H01L 43/08 Z
, G01R 15/02 A
, G01R 33/06 R
2G017AA01
, 2G017AB07
, 2G017AC09
, 2G017AD55
, 2G025AA05
, 2G025AB01
, 2G025AC02
