特許
J-GLOBAL ID：200903045219757084
半導体メモリー装置の内部電源電圧供給装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-013672
公開番号（公開出願番号）：特開平6-187780
出願日： 1992年01月29日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：
【要約】【目的】周辺回路とメモリーセルアレイとに互いに独立して安定な電源電圧を供給できる半導体メモリー装置の内部電源電圧供給装置の提供。【構成】外部電源電圧を基準電圧Vrefに変換する基準電圧発生回路21と、Vrefと周辺回路用基準電圧VrefPとを比較した上でVrePのレベルを決定する周辺回路用基準電圧部30と、Vrefとセルアレイ用基準電圧VrefAとを比較した上でVrefAのレベルを決定するセルアレイ用基準電圧部40と、VrefPと周辺回路用電源電圧VccPとを比較した上でVccPのレベルを決定する周辺回路用電源供給回路22と、VrefAとセルアレイ用電源電圧VccAとを比較した上でVccAのレベルを決定するセルアレイ用電源供給回路23と、から成る内部電源電圧供給装置を設けて成る。
請求項（抜粋）：
周辺回路とメモリーセルアレイとから構成される半導体メモリー装置の内部電源電圧供給装置において、外部から供給される電源電圧を内部電源電圧の基となる基準電圧に変換する回路が、周辺回路用とメモリーセルアレイ用に独立して設けられたことを特徴とする内部電源電圧供給装置。
IPC (2件)：
G11C 11/407
, G11C 11/413
G11C 11/34 354 F
, G11C 11/34 335 A
