特許

J-GLOBAL ID：200903045222071835

レジスト構造、イオン注入方法、及び半導体装置の製造方法

発明者： 安茂 博章
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-222103
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053159
出願日： 1992年07月29日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：

【要約】【目的】 レジストの収縮等の変形によるパターン変形に伴うばらつきを防止し、イオン注入により例えば拡散抵抗を形成する場合もこれを精度高く得ることができるレジスト構造、イオン注入方法、半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 ?@基板上に形成したイオン注入のマスク用レジスト構造1で、平面形状において矩形、鋸歯状等の角部形状2をなす収縮防止部を形成したレジスト構造。?A上記?@を用いたイオン注入方法及び半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

基板上に形成したイオン注入のマスク用レジスト構造であって、平面形状において角部形状をなす収縮防止部を形成したことを特徴とするレジスト構造。

IPC (3件)：

H01L 21/266 ,  H01L 21/265 ,  H01L 27/04

FI (2件)：

H01L 21/265 M ,  H01L 21/265 J