特許
J-GLOBAL ID：200903045224710690
位相シフト層を有するフオトマスクの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
韮澤 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-245519
公開番号（公開出願番号）：特開平5-080492
出願日： 1991年09月25日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：
【要約】【目的】 高精度の多段位相シフト層を有するフォトマスクを、少ない工程数で、欠陥の発生率が小さく、低コストで製造する。【構成】 透明基板30上に遮光パターン32及び位相シフターパターン33を備え、透明基板30上で遮光パターンから孤立して位置する位相シフターパターン部分の周辺部分35の膜厚が中心部分の膜厚より小さい位相シフト層を有するフォトマスクを製造するために、遮光パターン32及び位相シフターパターン33を形成後、透明基板30上で遮光パターン32から孤立して位置する位相シフターパターン33部分の周辺部分35のみに、イオンミーリング法を用いてイオン照射34を行うことにより、膜厚を減少させて中心部分に対して位相差を生じさせる。
請求項（抜粋）：
透明基板上に遮光パターン及び位相シフターパターンを備え、透明基板上で遮光パターンから孤立して位置する位相シフターパターン部分の周辺部分の膜厚が中心部分の膜厚より小さい位相シフト層を有するフォトマスクの製造方法において、遮光パターン及び位相シフターパターンを形成後、透明基板上で遮光パターンから孤立して位置する位相シフターパターン部分の周辺部分のみに、イオンミーリング法を用いてイオン照射を行うことにより、膜厚を減少させることを特徴とする位相シフト層を有するフォトマスクの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
