特許
J-GLOBAL ID：200903045224734440
EL素子の製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 洋二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-005814
公開番号（公開出願番号）：特開平10-199677
出願日： 1997年01月16日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：
【要約】【課題】 EL素子におけるガラス基板の表面に制御性よく滑らかな凹凸を形成する。【解決手段】 ガラス基板1上に形成されたフォトレジスト2の表面に凹凸を形成し、このフォトレジスト2の表面に形成された凹凸を、イオンミリングによってガラス基板1の表面に転写して、ガラス基板1の表面に滑らかな凹凸を形成する。この凹凸が形成されたガラス基板1の表面に、下部電極層、下部絶縁層、発光層、上部絶縁層、上部電極層を積層形成して、EL素子を得る。
請求項（抜粋）：
表面にフォトレジスト(2)が形成されたガラス基板(1)を用意し、前記フォトレジスト(2)の表面に凹凸を形成し、このフォトレジスト(2)の表面に形成された凹凸を前記ガラス基板(1)の表面に転写して前記ガラス基板(1)の表面に凹凸を形成し、この凹凸が形成されたガラス基板(1)の表面に、発光層(5)を挟んで絶縁層(4、6)および電極層(3、7)を積層形成することを特徴とするEL素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H05B 33/10
, C03C 15/00 D
