特許
J-GLOBAL ID：200903045235547375
液晶ディスプレイ駆動用TFT基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-280463
公開番号（公開出願番号）：特開平6-075247
出願日： 1992年09月25日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】【目的】 液晶ディスプレイ駆動用TFT基板に形成された多結晶シリコン薄膜トランジスタに対する水素化処理を効率的に行なう。【構成】 基板1の表面にはマトリクス状に配列された画素電極8とこの画素電極8に接続された薄膜トランジスタとが形成されている。薄膜トランジスタのゲート電極Gの下方にゲート絶縁膜を隔てて形成された半導体層は多結晶シリコン薄膜2からなる。又ゲート絶縁膜にはパタニングされたSi3 N4 膜4が含まれている。さらに薄膜トランジスタの上方にはP-SiN膜9がパタニング形成されており水素拡散源となる。このP-SiN膜9の端部はSi3 N4 膜4の端部より0.5μm以上広幅であり、効率的な水素拡散を行なう事が可能になる。
請求項（抜粋）：
マトリクス状に配列された画素電極とこの画素電極に接続された薄膜トランジスタを備えた液晶ディスプレイ駆動用TFT基板において、前記薄膜トランジスタのゲート電極下にゲート絶縁膜を隔てて形成された半導体層が多結晶半導体膜からなり、前記ゲート絶縁膜が少なくともパタニングされた窒化膜から構成され、前記薄膜トランジスタの上方に設けられたプラズマシリコンナイトライドからなるパタニングされた保護膜の端部が前記窒化膜の端部より0.5μm以上広幅である事を特徴とする液晶ディスプレイ駆動用TFT基板。
IPC (2件)：
G02F 1/136 500
, H01L 29/784
