化学増幅系レジスト組成物およびそれを用いたフォトマスク作成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-332239
公開番号（公開出願番号）：特開2000-155419
出願日： 1998年11月24日
公開日（公表日）： 2000年06月06日
要約：

【要約】【課題】アルカリ水溶液で現像でき、フォトマスク基板上で裾引きのない寸法制御性のよいポジ型パタンを現出させるレジスト組成物を提供する。【解決手段】(a)放射線照射により酸を発生する化合物、(b)酸を触媒とする反応によりアルカリ水溶液に対する溶解性を増加させる反応性をもった媒体、(c)分子量分布を持ったフェノール性高分子に特定のフェノール化合物を添加した樹脂組成物を含み、上記フェノール性高分子の現像液に対する溶解速度が1〜10nm/秒であって、上記樹脂組成物の塗膜の残膜厚100%から50%までの平均溶解速度(DR(100-50))と残膜厚50%から0%の平均溶解速度(DR(50-0))の比(DR(50-0)/DR(100-50))が0.75以上になる化学増幅系レジスト組成物。

請求項（抜粋）：

(a)放射線照射により酸を発生する化合物、(b)酸を触媒とする反応によりアルカリ水溶液に対する溶解性を増加させる反応性をもった媒体および(c)分子量分布を持ったフェノール性高分子に特定のフェノール化合物を添加した樹脂組成物を含むポジ型化学増幅系レジスト組成物であって、上記(c)のフェノール性高分子単独の現像液に対する被加工基板上での溶解速度が1〜10nm/秒であり、上記(c)の樹脂組成物からなる塗膜の所定の現像液に対する被加工基板上での時間による膜厚変化が、残膜厚100%から50%までの平均溶解速度を(DR(100-50))とし、残膜厚50%から0%までの平均溶解速度を(DR(50-0))とするとき、両者の比(DR(50-0)/DR(100-50))が0.75以上であることを特徴とする化学増幅系レジスト組成物。

IPC (6件)：

G03F 7/039 601 , G03F 7/004 501 , G03F 7/032 , G03F 7/30 , G03F 7/40 521 , H01L 21/027

FI (6件)：

G03F 7/039 601 , G03F 7/004 501 , G03F 7/032 , G03F 7/30 , G03F 7/40 521 , H01L 21/30 502 R

Fターム (25件)：

2H025AA00 , 2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AB08 , 2H025AC06 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB29 , 2H025CC20 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 2H025FA39 , 2H096AA00 , 2H096AA24 , 2H096BA11 , 2H096BA20 , 2H096EA06 , 2H096FA01 , 2H096GA08 , 2H096HA12 , 2H096JA03 , 2H096LA17

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