特許

J-GLOBAL ID：200903045239420744

シリコンウェーハの製造方法

発明者： 森田 悦郎 ,  降屋 久 ,  松尾 悟 ,  新行内 隆之 ,  松原 順一 ,  島貫 康
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社 ,  三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 桑井 清一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-181715
公開番号（公開出願番号）：特開平5-345699
出願日： 1992年06月16日
公開日（公表日）： 1993年12月27日
要約：

【要約】【目的】 酸化膜の絶縁破壊などの電気的特性の向上したシリコンウェーハの製造方法を提供する。【構成】 CZ法によるシリコンウェーハを1300°Cで30分間熱処理する。この後、このシリコンウェーハを4°C/分の速度で冷却する。このシリコンウェーハにMOSキャパシタを形成する。このMOSキャパシタの酸化膜絶縁破壊耐圧の特性を測定する。この測定結果、酸化膜の絶縁破壊耐圧が向上している。

請求項（抜粋）：

CZ法により引き上げられたシリコン単結晶から作製されたシリコンウェーハを1250°C以上で30分間以上熱処理する工程と、この後、このシリコンウェーハを4°C/分以上の速度で冷却する工程と、を有することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/06 ,  H01L 21/02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-242500
  
• 特開平3-077330
  
• 特開平3-080200