特許
J-GLOBAL ID：200903045242932063
半導体装置とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-006501
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204722
出願日： 1998年01月16日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：
【要約】【課題】製造が簡単でコストを低く押さえられるとともに、特に温度変化の頻度と変化幅が大きい劣悪な熱環境で長期に亘って安定な特性を維持することができる半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 セラミック基板をこれと熱膨張率の同等な導電材料で覆って一体にした外枠を形成し、この外枠を放熱板にネジ止めして放熱するように構成される。
請求項（抜粋）：
金属外枠と、この金属外枠の内側に支持されたセラミック基板と、このセラミック基板の表面に形成された回路配線層と、この回路配線層に接続された状態で前記セラミック基板上に設けられた半導体装置と、を具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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