特許
J-GLOBAL ID：200903045246248876
半導体装置とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-327008
公開番号（公開出願番号）：特開平10-173174
出願日： 1996年12月06日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：
【要約】【課題】 パワー用半導体装置における、耐圧特性の安定化を図る。【解決手段】 1または複数の半導体装置セルが形成されるセル領域と、前記セル領域の外周囲にリング状に形成され、第1導電型の不純物拡散層である1または複数のガードリングと、前記1または複数のガードリングの外周囲にリング状に形成され、第2導電型の不純物拡散層であるチャネルストッパとを有する半導体装置において、前記複数のガードリングのうち最外周ガードリングに隣接する外周囲に、前記ガードリングより浅い第1導電型の不純物拡散層を形成し、前記チャネルストッパに隣接する内周囲に、前記チャネルストッパと一部重複するように、前記チャネルストッパより浅い第2導電型の不純物拡散層を形成する。
請求項（抜粋）：
1または複数の半導体装置セルが形成されたセル領域と、前記セル領域の外側に形成された、1または複数の第1導電型の不純物拡散層で構成される、1または複数のガードリングと、最も外側にある前記ガードリングの外側に形成された第2導電型の不純物拡散層であるチャネルストッパとを有する半導体装置において、最も外側にある前記ガードリングの外側に隣接するように、前記ガードリングより浅く形成された、第1導電型の不純物拡散層を有することを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 652 P
, H01L 29/78 655 G
