ポリシリコン評価方法、ポリシリコン検査装置及び薄膜トランジスタ製造方法

発明者： , , , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-005994
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196430
出願日： 2000年01月07日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：

【要約】【課題】アモルファスシリコン膜をエキシマレーザアニールすることにより形成されたポリシリコン膜の状態の評価をする。【解決手段】アモルファスシリコン膜に対してアニール処理を行いポリシリコン膜を形成したときに、このアニール処理時においてアモルファスシリコンに与えるエネルギーに応じて、形成されたポリシリコン膜の膜表面の空間構造に直線性や周期性が現れる。この直線性や周期性を画像処理したのち、その画像から直線性や周期性を自己相関関数を利用して数値化する。この数値化した結果に基づきポリシリコン膜の状態を判断する。

請求項（抜粋）：

アモルファスシリコン膜をアニール処理することによって形成されたポリシリコン膜を評価する評価方法において、上記ポリシリコン膜の膜表面の空間構造の直線性及び/又は周期性を評価し、この直線性及び/又は周期性の評価結果に基づき上記ポリシリコン膜の状態を評価することを特徴とするポリシリコン評価方法。

IPC (6件)：

H01L 21/66 , G01N 21/956 , G02F 1/1368 , H01L 21/20 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 21/66 J , G01N 21/956 A , H01L 21/20 , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 624 , H01L 29/78 627 G

Fターム (73件)：

2G051AA51 , 2G051AB20 , 2G051BA05 , 2G051BA10 , 2G051BB17 , 2G051BC05 , 2G051CA03 , 2G051CA04 , 2G051CB06 , 2G051DA07 , 2G051EB01 , 2G051EB02 , 2G051EC03 , 2G051EC06 , 2G051ED07 , 2H092JA25 , 2H092JA26 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092MA30 , 2H092NA21 , 2H092NA25 , 2H092NA30 , 4M106AA01 , 4M106AA10 , 4M106AB01 , 4M106BA05 , 4M106CA38 , 4M106DB04 , 4M106DB08 , 4M106DJ17 , 4M106DJ18 , 4M106DJ19 , 4M106DJ20 , 4M106DJ21 , 5F052AA02 , 5F052BA07 , 5F052BB07 , 5F052CA07 , 5F052DA02 , 5F052DB02 , 5F052JA10 , 5F110AA24 , 5F110AA26 , 5F110CC08 , 5F110DD02 , 5F110EE04 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG47 , 5F110HJ12 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL07 , 5F110HL11 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN12 , 5F110NN14 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP24 , 5F110PP40 , 5F110QQ19 , 5F110QQ30

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体膜の評価方法、評価装置及び形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-037342 出願人：三洋電機株式会社
シリコン薄膜、シリコン単結晶粒子群及びそれらの形成方法、並びに、半導体装置、フラッシュメモリセル及びそれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-088728 出願人：ソニー株式会社
特開昭61-077708

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