特許
J-GLOBAL ID:200903045248913907

水素センサー及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高畑 靖世
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-044663
公開番号(公開出願番号):特開2005-274559
出願日: 2005年02月21日
公開日(公表日): 2005年10月06日
要約:
【課題】自動車用燃料電池、家庭用燃料電池等の装置に用いられる水素ガスの漏れを検知するのに用いる、或いは水素ガスを扱う装置内の水素濃度を制御するのに用いる水素センサー及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板2と、該基板2上に形成された希土類金属膜3と、該希土類金属膜3上に形成された保護膜5であって前記保護膜5はセラミックス材料15中に水素透過性金属粒子13を分散してなる保護膜5と、を有することを特徴とする水素センサー。 希土類金属膜3の厚さが5〜1000nmであり、保護膜5の厚さが5〜40nmであることが好ましい。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基板と、該基板上に形成された希土類金属膜と、該希土類金属膜上に形成された保護膜であって前記保護膜はセラミックス材料中に水素透過性金属粒子を分散してなる保護膜と、を有することを特徴とする水素センサー。
IPC (1件):
G01N27/12
FI (2件):
G01N27/12 B ,  G01N27/12 C
Fターム (21件):
2G046AA05 ,  2G046BA01 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BB08 ,  2G046BE03 ,  2G046BE08 ,  2G046BF01 ,  2G046FB00 ,  2G046FB02 ,  2G046FB06 ,  2G046FE02 ,  2G046FE03 ,  2G046FE18 ,  2G046FE24 ,  2G046FE29 ,  2G046FE31 ,  2G046FE35 ,  2G046FE38 ,  2G046FE45 ,  2G046FE47
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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