特許

J-GLOBAL ID：200903045250659341

拡散防止膜およびその製造方法および半導体記憶素子およびその製造方法

発明者： 奥藤 章 ,  石原 数也
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-194711
公開番号（公開出願番号）：特開2003-007984
出願日： 2001年06月27日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：

【要約】【課題】 水素の透過を効果的に抑制でき、水素バリア性の優れた拡散防止膜およびその製造方法を提供すると共に、安定した強誘電体特性または高誘電体特性を有するキャパシタを備えた歩留まりのよい半導体記憶素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 バリウムが含まれるアルミニウムの酸化物からなる拡散防止膜7を堆積させ、酸素と二酸化炭素の混合ガスの雰囲気中で拡散防止膜7を熱処理することによって、拡散防止膜7に含まれるバリウムに二酸化炭素を吸着させる。

請求項（抜粋）：

少なくともII族元素のうちの1種類以上が含まれたアルミニウムの酸化物からなる膜であって、上記II族元素のうちの少なくとも1種類に二酸化炭素または一酸化炭素の少なくとも一方が吸着したことを特徴とする拡散防止膜。

IPC (3件)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108

FI (2件)：

H01L 27/10 444 B ,  H01L 27/10 651

Fターム (14件)：

5F083AD21 ,  5F083FR02 ,  5F083GA25 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083PR21 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34