特許
J-GLOBAL ID：200903045251398061
容量型圧力センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-086094
公開番号（公開出願番号）：特開平6-300651
出願日： 1993年04月13日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：
【要約】【目的】 外部引出用の金属配線65を設けるための製造工程を簡素化し、かつ金属配線65の温度変化及び熱衝撃等に対する信頼性を向上させる。【構成】 パイレックスガラス45に陽極接合されるシリコン基板43に、ダイヤフラム部47と同時にエッチングにより配線取出用凹部61を形成する。この配線取出用凹部61に、集積回路56に金属配線57及び高濃度拡散層67を介して電気的に導通する金属配線65を蒸着により形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板に、被測定圧力を受けて変位可能なダイヤフラム部及び、ダイヤフラム部の被測定圧力を受ける面と反対側の面に位置する第1の電極をそれぞれ設け、前記半導体基板の第1の電極側の面にガラス基板を接合し、このガラス基板の前記第1の電極に対向する位置に、第1の電極との間で測定圧の基準値を有する基準圧力室を形成する第2の電極を設け、前記各電極に接続され前記ダイヤフラム部の変位に基づく前記各電極間の静電容量により被測定圧力を算出する回路部を前記半導体基板のガラス基板側の面に設け、前記半導体基板の前記ガラス基板と反対側の面に配線取出用凹部を形成し、この配線取出用凹部に外部取出用配線部を設けるとともに、この外部取出用配線部と前記回路部に接続された内部配線部とを電気的に導通させる拡散層を前記半導体基板に設けたことを特徴とする容量型圧力センサ。
IPC (2件)：
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