特許
J-GLOBAL ID:200903045255665439

膜形成方法および基板処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 福島 祥人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-146319
公開番号(公開出願番号):特開平11-333355
出願日: 1998年05月27日
公開日(公表日): 1999年12月07日
要約:
【要約】【課題】 厚膜塗布された膜の外周部を均一な幅で除去することが可能な膜形成方法および基板処理装置を提供する。【解決手段】 基板W上にポリイミドなどの塗布液を供給し、回転塗布して保護膜を形成した後、加熱ユニットにおいて50〜60°Cに昇温し、保護膜中の溶剤分を揮発除去する。その後、基板Wを回転駆動しながら、保護膜の外周部にリンス液を吐出し、保護膜9の外周部を一定幅で溶解除去する。
請求項(抜粋):
基板上に膜を形成した後、前記膜の外周部を除去する膜形成方法であって、基板上に塗布液を供給して所定厚さの膜を形成する工程と、前記基板上に形成された膜を昇温する工程と、前記昇温する工程が終了した前記膜の外周部に膜成分を溶解させる液を供給して前記膜の外周部を除去する工程とを備えたことを特徴とする膜形成方法。
IPC (3件):
B05C 11/08 ,  G03F 7/16 502 ,  H01L 21/027
FI (5件):
B05C 11/08 ,  G03F 7/16 502 ,  H01L 21/30 564 D ,  H01L 21/30 566 ,  H01L 21/30 577

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