特許

J-GLOBAL ID：200903045259412004

反射防止構造体とその製造法

発明者： ウェイ ウィリアム リー ,  クシイジイ ヘー ,  グオクシアン シン
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-150325
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058830
出願日： 1999年05月28日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】 フォトレジストに及ぼす表面の窒素の効果を制限した反射防止被覆体とその製造法を提供する。【解決手段】 酸化窒化シリコン反射防止被覆体に酸素プラズマ処理を行うことにより表面の窒素が除去され、そしてフォトレジストの接着が増進する。酸化窒化シリコンはシリコン濃度が高くて誘電率が小さく、したがってハード・マスクとして用いられた後の除去が必要でない。

請求項（抜粋）：

(a) パターンに作成されるべき材料層の上に酸化窒化シリコンの反射防止被覆体を沈着する段階と、(b) 酸化窒化シリコンの前記反射防止被覆体の表面領域から窒素を除去する段階と、(c) 窒素が除去された前記酸化窒化シリコン反射防止被覆体にフォトレジストを取り付ける段階と、を有する、集積回路の製造法。

IPC (8件)：

H01L 29/78 ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (7件)：

H01L 29/78 301 G ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/318 C ,  H01L 21/30 574 ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/88 B ,  H01L 27/08 321 D