特許

J-GLOBAL ID：200903045259860295

電気光学装置およびその製造方法、電子機器

発明者： 齊藤 潤
出願人/特許権者： 三洋エプソンイメージングデバイス株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-222476
公開番号（公開出願番号）：特開2007-041096
出願日： 2005年08月01日
公開日（公表日）： 2007年02月15日
要約：

【課題】 製造工程の早い段階から静電破壊を確実に防止可能な電気光学装置、その製造方法、および電子機器を提供することにある。【解決手段】 電気光学装置の素子基板10では、絶縁基板11上で互いに交差する方向に延びた走査線3aおよびデータ線7aと平面的に重なって延びる静電破壊防止用配線5b、5cが形成され、静電破壊防止用配線5b、5cは、TFT2aの能動層を構成する半導体膜と同一材料からなる。このため、静電破壊防止用配線5b、5cが形成された以降であれば、双方向性のダイオード素子2dが形成される前の段階でも、静電破壊を防止することができ、かつ、静電破壊防止用配線5b、5cを絶縁基板11上に残したまま電気光学装置1を完成させても、電気光学装置1の動作に支障を及ぼすことはない。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に複数の第1の配線および複数の第2の配線が互いに交差する方向に形成されているとともに、前記第1の配線と前記第2の配線との各交差部分に対応する位置に画素トランジスタおよび画素電極が形成された電気光学装置において、 前記絶縁基板上には、前記第1の配線および前記第2の配線のうちの少なくとも一方と平面的に重なって延びた静電破壊防止用配線が形成され、 当該静電破壊防止用配線は、前記画素トランジスタの能動層を構成する半導体膜と同一材料からなることを特徴とする電気光学装置。

IPC (4件)：

G09F 9/30 ,  G02F 1/134 ,  G02F 1/136 ,  H01L 29/786

FI (4件)：

G09F9/30 338 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78 623A

Fターム (42件)：

2H092GA33 ,  2H092GA60 ,  2H092GA64 ,  2H092HA06 ,  2H092JA26 ,  2H092JB79 ,  2H092KB04 ,  2H092NA14 ,  5C094AA21 ,  5C094AA32 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094DA13 ,  5C094DA15 ,  5C094DB04 ,  5C094DB10 ,  5C094EA04 ,  5C094EA10 ,  5F110AA22 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE04 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG35 ,  5F110GG45 ,  5F110HK04 ,  5F110HK09 ,  5F110HK21 ,  5F110HK35 ,  5F110HL07 ,  5F110NN04 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110NN73

引用特許：

出願人引用 (1件)

• アクティブマトリクス基板
  公報種別：再公表公報   出願番号：JP1996002858   出願人：セイコーエプソン株式会社