特許

J-GLOBAL ID：200903045267179939

疎水性シリカの製造方法

発明者： 中村 正博 ,  小松原 胆治 ,  河野 博之
出願人/特許権者： 株式会社トクヤマ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-065967
公開番号（公開出願番号）：特開平8-259216
出願日： 1995年03月24日
公開日（公表日）： 1996年10月08日
要約：

【要約】【目的】表面に十分な量の疎水基を有し、しかもOH基の量は少なく、高い疎水性のシリカを得る。【構成】単位表面積当たりの表面OH基の数が1.5個/nm2以下であるシリカを水蒸気と塩基性ガス、例えば、アンモニアガスの存在下にヘキサメチルジシラザンと接触させる。

請求項（抜粋）：

単位表面積当たりの表面のOH基の数が1.5個/nm2以下であるシリカを水蒸気および塩基性ガスの存在下にヘキサメチルジシラザンと接触させることを特徴とする疎水性シリカの製造方法。