特許
J-GLOBAL ID：200903045275305773
半導体薄膜磁気抵抗素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松田 正道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-307181
公開番号（公開出願番号）：特開平6-164016
出願日： 1992年11月17日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】 耐熱性に優れると共に、リード端子を裏面に接続する構成において、寸法精度のよい半導体薄膜磁気抵抗素子を提供すること。【構成】 スルーホールを設けたアルミナ基板1と、このアルミナ基板1上に形成したガラス層2と、前記スルーホールの内周面およびその開口部近傍に形成した端子電極3と、この端子電極3とアルミナ基板1およびガラス層2上に形成され、端子電極3近傍において分離したInSbからなる半導体層4と、この端子電極3から分離された側の半導体層4上に形成した短絡電極5と、分離された双方の半導体層4とこの双方の半導体層4間のアルミナ基板1あるいはガラス層2上に形成した引き回し電極6とを備えることにより、感磁部における半導体層の均一なエッチングを行うことが可能となり寸法精度のよい半導体薄膜磁気抵抗素子が実現できる。
請求項（抜粋）：
厚さ方向にスルーホールが設けられたアルミナ基板と、このアルミナ基板上に形成されたガラス層と、前記スルーホールの内周面およびその開口部近傍に形成された端子電極と、この端子電極および前記ガラス層及び/又はアルミナ基板上に形成され、前記端子電極近傍において分離しているアンチモン化インジウムからなる半導体層と、前記端子電極から分離された側の半導体層上に形成された短絡電極と、前記分離された双方の半導体層とこの双方の半導体層間の前記アルミナ基板あるいはガラス層上に形成された引き回し電極と、前記アルミナ基板、ガラス層、半導体層、短絡電極および引き回し電極のそれぞれの露出表面上に形成された絶縁体からなる保護層とを備えたことを特徴とする半導体薄膜磁気抵抗素子。
IPC (2件)：
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