特許
J-GLOBAL ID:200903045276183302

半導体集積回路及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高田 守
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-133306
公開番号(公開出願番号):特開平6-349845
出願日: 1993年06月03日
公開日(公表日): 1994年12月22日
要約:
【要約】【目的】 3端子を有する半導体素子を並列に集積化する際、工程が安定でかつ自由度の高いパターンを提供する。【構成】 コレクタ引出しエアーブリッジ配線9aはコレクタ引出し配線12aと共に櫛状の形状を有し、エミッタ引出しエアーブリッジ配線8がその隙間に割って入るように形成されている。エミッタ引出しエアーブリッジ配線8はエミッタ引出し配線10aと共に櫛状の形状を呈するので、コレクタ電極体とエミッタ電極体とは互いに非接触で噛み合う構成を採っている。【効果】 コレクタ引出しエアーブリッジ配線9aとエミッタ引出しエアーブリッジ配線8とは立体交差せず、エミッタ引出しエアーブリッジ配線8の断面積が増大しても、工程の困難度は増大しない。
請求項(抜粋):
少なくとも入力電極及び出力電極並びに共通電極を各々が有する半導体素子の複数を並列に接続し、少なくとも前記出力電極及び前記共通電極が第1の方向に露呈する半導体集積回路であって、前記出力電極の複数を互いに接続し、複数の歯と杆状体とから構成される出力電極接続体と、前記共通電極の複数を互いに接続し、前記出力電極接続体の隙間に非接触で噛み合う、櫛状の少なくとも一つの共通電極接続体と、を備える、半導体集積回路。
IPC (4件):
H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/205
FI (2件):
H01L 29/72 ,  H01L 27/06 101 B

前のページに戻る