特許

J-GLOBAL ID：200903045276261583

プロトン伝導体及びその製造方法、並びに電気化学デバイス

発明者： 白井 克弥 ,  紀平 徹
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-009723
公開番号（公開出願番号）：特開2004-192808
出願日： 2001年01月18日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：

【課題】プロトン伝導性に優れ、乾燥雰囲気下でもプロトン伝導性の低下がなく、かつ成膜性・加工性に優れたプロトン伝導体及びその製造方法、並びに電気化学デバイスを提供すること。【解決手段】酸化ケイ素と、ブレーンステズ酸と、炭素を主成分とする炭素質材料を構成する炭素原子にプロトン(H+)解離性の基を導入してなる炭素質材料誘導体とからなるプロトン伝導体。ゾル-ゲル法によって酸化ケイ素及びブレーンステズ酸を主体とする化合物を製造し、この化合物と、炭素を主成分とする炭素質材料を構成する炭素原子にプロトン(H+)解離性の基を導入してなる炭素質材料誘導体とを混合させる工程を有する、プロトン伝導体の製造方法。第1極と、第2極と、これらの両極に電気的に接した電解質とからなり、前記電解質が、本発明のプロトン伝導体である、電気化学デバイス。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

酸化ケイ素と、ブレーンステズ酸と、炭素を主成分とする炭素質材料を構成する炭素原子にプロトン(H+)解離性の基を導入してなる炭素質材料誘導体とからなるプロトン伝導体。

IPC (6件)：

H01M8/02 ,  C07C35/44 ,  C07C305/20 ,  C07C309/25 ,  H01B1/06 ,  H01B13/00

FI (6件)：

H01M8/02 M ,  C07C35/44 ,  C07C305/20 ,  C07C309/25 ,  H01B1/06 A ,  H01B13/00 Z

Fターム (10件)：

4H006AA03 ,  4H006AB78 ,  4H006AB91 ,  4H006FC36 ,  4H006FE12 ,  5G301CA30 ,  5G301CD01 ,  5H026AA06 ,  5H026CC03 ,  5H026EE11

引用特許：

審査官引用 (2件)

• プロトン伝導体および同プロトン伝導体を用いた電気化学素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-228214   出願人：松下電器産業株式会社, ジェイエスアール株式会社
• 特開平3-167712