特許

J-GLOBAL ID：200903045276322027

面発光型半導体素子の製造方法およびその面発光型半導体素子を用いた半導体レーザ装置

発明者： 早川 利郎
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-348528
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168451
出願日： 1999年12月08日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：

【要約】【課題】 面発光型の光励起による半導体レーザ装置において、空間的な発振モードを安定させる。【解決手段】 面発光型の光励起による半導体レーザ装置を構成する面発光型半導体素子を、GaN基板11上に、1050°CでGaNバッファ層12、Alz4Ga1-z4Nキャリア閉じ込め層13、GaN光閉じ込め層14を順次積層後、成長温度を800°C以下に下げて、Inx3Ga1-x3N/Inx2Ga1-x2N多重量子井戸活性層15、GaN層16を順次積層する。

請求項（抜粋）：

半導体レーザ素子からなる励起光源と、該励起光源により励起され、該励起光源が発する励起光の波長より長波長のレーザ光を発する、基板上に活性層と該活性層の前記基板側あるいは前記基板と反対側に形成されたミラーを有する面発光型半導体素子と、該面発光型半導体素子の外部に配置され、前記ミラーと外部共振器を形成する少なくとも一つの外部ミラーとを備えた半導体レーザ装置において、前記面発光型半導体素子の活性層が、InGaNからなり、該InGaNからなる活性層の上層がAlGaN以外の組成のIII-V族化合物からなることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (4件)：

H01S 5/04 ,  H01S 5/14 ,  H01S 5/18 ,  H01S 5/343

FI (4件)：

H01S 5/04 ,  H01S 5/14 ,  H01S 5/18 ,  H01S 5/343

Fターム (10件)：

5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AB17 ,  5F073AB25 ,  5F073AB29 ,  5F073CA07 ,  5F073CB06 ,  5F073CB20 ,  5F073DA05 ,  5F073EA15