特許
J-GLOBAL ID：200903045277267747
温度補償型発振装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-172632
公開番号（公開出願番号）：特開2000-013139
出願日： 1998年06月19日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：
【要約】【課題】 誘電体共振器を使用したLNB等の局部発振回路において、誘電体共振器の温度特性のバラツキによる発振周波数の変動を低減する。【解決手段】 発振用FETのドレイン(D)端子と直流電源Voとの間に温度補償回路6aを設け、周囲温度の変動に応じて該FETのドレインとソース間の電圧を変化させ、発振周波数変動を補償する。この温度補償回路6aは、誘電体共振器の温度特性の全体的傾向が温度上昇に連れて周波数が高くなる場合に適用適用する。温度補償回路6aは、周囲温度が上昇した場合、サーミスタRtaによりドレイン電圧Vdを下げ、発振周波数を下げるように作用し、発振周波数を上げるように作用する。
請求項（抜粋）：
FET(電界効果トランジスタ)を用いた発振回路の近傍に誘電体共振器を設けて構成した発振装置において、前記FETのドレイン端子と直流電源との間に温度補償手段を設け、該温度補償手段により、周囲温度の変動に応じて該FETのドレインとソース間の電圧を該温度補償手段により変化させ、発振周波数変動を補償するようにしたことを特徴とする温度補償型発振装置。
Fターム (16件)：
5J081AA01
, 5J081BB03
, 5J081CC17
, 5J081DD04
, 5J081FF21
, 5J081FF23
, 5J081GG01
, 5J081HH04
, 5J081HH06
, 5J081KK02
, 5J081KK16
, 5J081KK22
, 5J081KK24
, 5J081LL01
, 5J081MM01
, 5J081MM03
