特許

J-GLOBAL ID：200903045277738715

レジストの処理方法

発明者： 小森 実
出願人/特許権者： ウシオ電機株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-258996
公開番号（公開出願番号）：特開2000-090414
出願日： 1998年09月11日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】 レジストに電子ビームを照射して硬化処理する際に、電子ビーム照射によって発生したガスをレジスト内に残存させることなく、レジストを早く、かつ効率的に硬化処理する方法を提供すること。【解決手段】 電子ビームを照射してレジストの耐熱性を高めるレジストの処理方法において、電子ビームを照射しつつ、発泡しない温度に加熱する第1の工程と、上記第1の工程によって発生したガスをレジストの外部へ放出させるために、レジストを加熱する第2の工程と、第2の工程後にレジストを高分子化し硬化させるように、レジストに電子ビームを照射する第3の工程と、よりなる。

請求項（抜粋）：

電子ビームを照射してレジストの耐熱性を高める、レジストの処理方法において、レジストからガスを発生、放出させるために、電子ビームを照射しつつ、発泡しない温度に加熱する第1の工程と、上記第1の工程によって発生したガスをレジストの外部へ放出させるために、レジストを加熱する第2の工程と、さらに、第2の工程後にレジストを高分子化し硬化させるように、レジストに電子ビームを照射する第3の工程と、よりなることを特徴とするレジストの処理方法。

IPC (3件)：

G11B 5/31 ,  G03F 7/38 501 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G11B 5/31 F ,  G11B 5/31 M ,  G03F 7/38 501 ,  H01L 21/30 570

Fターム (13件)：

2H096AA25 ,  2H096AA30 ,  2H096BA01 ,  2H096DA02 ,  2H096EA06 ,  2H096EA27 ,  5D033BA41 ,  5D033DA01 ,  5D033DA31 ,  5F046AA09 ,  5F046AA17 ,  5F046AA22 ,  5F046KA01