特許
J-GLOBAL ID：200903045282299398
縦型絶縁ゲートトランジスタとその製法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-307136
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163912
出願日： 1992年11月17日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】 小面積XMOSを簡単に製造する。【構成】 半導体基板11上に、低不純物濃度ないしは真性の半導体突起12が形成され、この半導体突起12の上端及び下端に、ソース及びドレインの一方の領域と他方の領域とが形成され、半導体突起12の壁面に、ゲート絶縁層15が被着され、半導体基板11上にゲート絶縁層15と密着してゲート電極16が形成された構成とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、低不純物濃度ないしは真性の半導体突起が形成され、該半導体突起の上端と下端とに、ソースまたはドレインと、ドレインまたはソースとが形成され、上記半導体突起の壁面に、ゲート絶縁層が被着され、上記半導体基板上に上記ゲート絶縁層と密着してゲート電極が形成されたことを特徴とする縦型絶縁ゲートトランジスタ。
引用特許：
前のページに戻る
