特許
J-GLOBAL ID:200903045284681818

半導体製造方法およびシステム

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 作田 康夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-319249
公開番号(公開出願番号):特開2004-153191
出願日: 2002年11月01日
公開日(公表日): 2004年05月27日
要約:
【課題】装置稼働率の向上のため、露光工程においてミックス・アンド・マッチ、すなわち複数の露光装置を工程間で利用する製造方法がある。これは、仕掛かり増加および待ち時間発生を回避する方法である。しかし、運用方法によって装置稼働率に偏りができ、特定の装置にだけ仕掛かり増加および待ち時間が発生することで、装置運用効率の低下が生じることがある。【解決手段】各露光装置における過去の合わせ・寸法検査データより、合わせ・寸法規格値を満足する露光装置を選択し、且つ、その中で品質能力が低く、また、空いている露光装置にて着工することで、装置運用効率を向上させることができる。【効果】装置稼働率が均等されることで、装置運用効率の向上と製品TATの短縮が実現可能である。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
複数の露光装置を用いる半導体製造方法において、 製造する半導体デバイスの品種・工程における製造規格値を記憶するステップと、 製造した半導体デバイスの検査データを取得し記憶するステップと、 当該品種・工程における過去の検査データを各露光装置別に読み込み、その読み込んだ露光装置別の検査データより、各露光装置においての当該品種・工程のばらつきを算出するステップと、 当該品種・工程における製造規格値を読み込み、その読み込んだ製造規格値と、上記算出した各露光装置におけるばらつきとを比較し、製造規格値を満足する露光装置を選択するステップと、 その選択された露光装置をばらつきの低い順に並び替え、順位付けするステップと、 その順位付けした露光装置で、上位に格付けされている露光装置を、露光する露光装置として指定するステップと を備えることを特徴とする半導体製造方法。
IPC (2件):
H01L21/027 ,  G03F7/20
FI (2件):
H01L21/30 502G ,  G03F7/20 521
Fターム (3件):
5F046AA28 ,  5F046DA30 ,  5F046DD06

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