特許
J-GLOBAL ID：200903045285637537
半導体の加圧処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安田 敏雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-026379
公開番号（公開出願番号）：特開2000-227283
出願日： 1999年02月03日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：
【要約】【課題】 ヒータが内装された縦型の圧力容器を用いて行う半導体ウエハの加圧処理において、圧力容器内へ供給される処理ガスに対して含まれた粉塵や、圧力容器の内面又はヒータ等の内装機材等から発生する粉塵等が被処理物に付着することは、処理後に得られる半導体の品質に致命的な欠陥を生じさせるため、このような粉塵の付着を徹底的に阻止する。【解決手段】 圧力容器4の内部に、被処理物Wの設置部を気密的に包囲できるようにした内容器16を設ける。この内容器16には、ヒータ11,12からの高温雰囲気から逃れられる下部位置にガス導入部18を設け、このガス導入部18にフィルター20を設ける。また、内容器16には、その内方から外方へ向けた一方向的なガス流通を共用する逆止分19を設ける。
請求項（抜粋）：
圧力容器(4)内に、被処理物(W)の設置を可能にすると共に処理ガスの給排を可能にした処理室(8)が形成され、該処理室(8)に対して被処理物(W)の設置部を縦軸まわりで取り囲むようにして加熱手段(11,12)が設けられていると共に、該加熱手段(11,12)の内側と被処理物用設置部との間にこれらを隔絶する気密性材料製の内容器(16)が設けられており、該内容器(16)の下部にはガス導入部(18)が設けられており、該ガス導入部(18)に粉塵捕捉用のフィルター(20)が設けられていることを特徴とする半導体の加圧処理装置。
IPC (3件)：
F27D 7/02
, F27D 7/06
, H01L 21/3205
F27D 7/02 A
, F27D 7/06 B
, H01L 21/88 B
4K063AA05
, 4K063AA11
, 4K063AA15
, 4K063AA19
, 4K063BA12
, 4K063CA03
, 4K063DA05
, 4K063DA15
, 4K063DA22
, 4K063DA32
, 4K063DA33
, 5F033HH09
, 5F033QQ73
, 5F033QQ75
, 5F033QQ86
, 5F033XX00
