特許

J-GLOBAL ID：200903045288135290

光半導体装置

発明者： 羽賀 孝裕 ,  海道 佳典
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-118463
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326787
出願日： 1994年05月31日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：

【要約】【目的】 出力端子領域の厚さが小さい光半導体装置を提供すること。【構成】 絶縁表面を有する基板10上に、第1電極層、半導体光活性層及び第2電極層を積層した光半導体装置であって、前記第1、第2電極層と各々電気的に接続された出力端子領域は、一方の前記電極層より延出する第1電極延出部30at、第2電極延出部70ct上に、半田めっきした金属箔140a、140cを有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に、第1電極層、半導体光活性層及び第2電極層を積層した光半導体装置であって、一方の前記電極層より延出する延出部上に、半田めっきした金属箔を有する出力端子領域を備えることを特徴とする光半導体装置。

FI (2件)：

H01L 31/04 M ,  H01L 31/04 S

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭61-163671
  
• 特開昭61-163671