特許
J-GLOBAL ID：200903045291324796
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 詔男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-177833
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012853
出願日： 1998年06月24日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：
【要約】【課題】 負荷短絡時に半導体素子を確実かつ迅速にオフさせ、負荷短絡から半導体素子を保護する半導体装置を提供する。【解決手段】 負荷に流す電流をオン、オフする第一のスイッチング手段Q1と、前記負荷に流れる電流を検出する電流検出手段R4と、この電流検出手段と負荷との接続をオン、オフする第二のスイッチング手段Q2と、この第二のスイッチング手段と前記第一のスイッチング手段とを制御する制御手段22とをもつ半導体装置において、前記制御手段は、負荷の駆動開始時には前記第一のスイッチング手段をオンした後に前記第二のスイッチング手段をオンし、前記電流検出手段は、過電流を検出したとき、前記第一のスイッチング手段のみをオフする。
請求項（抜粋）：
負荷に流す電流をオン、オフする第一のスイッチング手段と、前記負荷に流れる電流を検出する電流検出手段と、この電流検出手段と負荷との接続をオン、オフする第二のスイッチング手段と、この第二のスイッチング手段と前記第一のスイッチング手段とを制御する制御手段とをもつ半導体装置において、前記制御手段は、負荷の駆動開始時には前記第一のスイッチング手段をオンした後に前記第二のスイッチング手段をオンし、前記電流検出手段は、過電流を検出したとき、前記第一のスイッチング手段のみをオフすることを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 657 F
, H01L 29/78 657 G
