特許
J-GLOBAL ID：200903045291637166
太陽電池用の薄いシリコンシートを製造する方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
清水 初志
, 橋本 一憲
, 新見 浩一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-550295
公開番号（公開出願番号）：特表2005-512330
出願日： 2002年12月04日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：
(111)配向を有するシリコン基板に第1のトレンチを形成する段階と、トレンチの基部により幅の狭いトレンチを形成し、異方性エッチングにより、隣接するエッチングフロント(16)が実質的に接するまで第2のトレンチから横方向のチャネル(4)を形成し、層を基板から引き離すことによって、薄い単結晶シリコン層が形成される。各トレンチは、結果として得られる層がスロット列を有し、隣接する列のスロットが相互にオフセットされるように配置することができる。長さが約50mmよりも長く、幅が最大で約5mmであり、厚さが100ミクロン未満であり、各ストリップ(5)の同じ面上に2つの電気接点を有する太陽電池を、トレンチ同士の間のストリップ上に形成することができる。
請求項（抜粋）：
単結晶シリコン層を形成するプロセスであって、以下の段階を含むプロセス:
実質的に(111)配向のシリコン基板上に平行な第1のトレンチを形成する段階;
第1のトレンチの表面に耐エッチング層を塗布する段階;
第1のトレンチの内側により幅の狭い一連の第2のトレンチを形成する段階;
シリコンの{111}面が実質的な耐性を有するエッチング液に第2のトレンチを接触させ、および、隣接しかつ向かい合うエッチングフロントが少なくとも実質的に接するまで第2のトレンチから横方向のチャネルをエッチングし、それによって単結晶シリコン層を画定する段階;ならびに
層を基板から引き離す段階。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L31/04 H
, H01L21/306 P
5F043AA02
, 5F043BB01
, 5F043DD01
, 5F043DD15
, 5F043FF02
, 5F043GG01
, 5F051AA02
, 5F051CB20
, 5F051CB21
, 5F051DA03
, 5F051EA16
