特許

J-GLOBAL ID：200903045292056914

SiC半導体装置

発明者： ジャナルドハナン・エス・アジット
出願人/特許権者： インターナショナル・レクチファイヤー・コーポレーション
代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-268602
公開番号（公開出願番号）：特開平9-172159
出願日： 1996年10月09日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置、特にパワーデバイスのオン抵抗を低減する。【解決手段】 Siから形成された結晶成長層を有する半導体デバイス構造が、SiCのようなバンドギャップの広い材料上に配置され、次にそれがSiのような半導体基板上に配置される。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、上記半導体基板上に配置されたドリフト領域を形成するバンドギャップの広い材料と、上記バンドギャップの広い材料上に配置された半導体材料の結晶成長層とを含む半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/16 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/861

FI (6件)：

H01L 29/16 ,  H01L 29/78 301 H ,  H01L 29/78 652 H ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/91 H ,  H01L 29/91 D