特許

J-GLOBAL ID：200903045294189776

半導体装置

発明者： 前田 就彦 ,  榎木 孝知 ,  石井 康信
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-297953
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139493
出願日： 1995年11月16日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：

【要約】【課題】ダブル・ヘテロ構造チャネルを有する高電子移動度トランジスタ(HEMT)において、デバイス動作における電流利得遮断周波数(fT)および相互コンダクタンス(gm)を動作条件において有効に高くし、かつデバイス動作に十分なチャネル電子数を確保するチャネル・ポテンシャル構造を実現する。【解決手段】InP基板上に作製した非格子整合系ダブル・ヘテロ構造のチャネルを有する高電子移動度トランジスタ(HEMT)において、チャネル内の電子の量子数nが、0、1、および2以上の量子状態で、それぞれ異なるポテンシャル幅で閉じ込められたチャネル構造を有し、チャネルはInXGa1-xAsからなり、基板表面側より順次、所定のIn組成および幅のスペーサ層、第1の井戸層、第2の井戸層または第3の井戸層などをゆうするよりなるチャネル構造を有することを特徴とする半導体装置。

請求項（抜粋）：

InP基板上に作製した非格子整合系ダブル・ヘテロ構造のチャネルを有する高電子移動度トランジスタ(HEMT)において、上記チャネル内の電子の量子数nが、0、1、および2以上の量子状態で、それぞれ異なるポテンシャル幅で閉じ込められたチャネル構造を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812