特許

J-GLOBAL ID：200903045301006364

プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

発明者： 林 茂則 ,  寺本 聡 ,  伊藤 健二 ,  山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-017930
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211492
出願日： 1994年01月18日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：

【要約】【目的】 安価なプラズマ処理装置とプラズマ処理方法を提供する。特にアッシング装置とアッシング方法を提供する。【構成】 5〜150Torrno圧力で安定に放電する装置とその方法を用いてアッシング装置とその方法を実現する。大気圧放電装置は一対の電極間に誘電体を挿入したもので、該電極間に希ガスを流し電極間に印加した電界でプラズマを生成する。希ガスに酸素を供給するガスを反応ガスとして添加する。反応ガスは3%以下好ましくは1%以下が良い。

請求項（抜粋）：

同芯円筒状もしくは平行平板状の一対の電極間に誘電体を片方もしくは両方の前記電極に接して配置し、前記電極及び前記誘電体の間もしくは前記一対の誘電体間に希ガスを5〜150Torrの圧力近傍で流し、前記電極間に印加した電界により前記希ガスを電離して生成したプラズマ内に、前記希ガスに添加して活性酸素を供給する反応ガスを混合し、前記プラズマ中を通過した前記反応ガスが前記希ガスの流れにより基板に吹きつけられることにより、前記反応ガスよりプラズマのエネルギーを受けて生成した活性種が基板表面の有機物を灰化させることを特徴とするプラズマ処理方法

IPC (4件)：

H05H 1/46 ,  C23G 5/00 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/302 H