特許
J-GLOBAL ID:200903045304264500
微粒子製造方法および反応プロセス装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
西教 圭一郎 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-045714
公開番号(公開出願番号):特開2001-237185
出願日: 2000年02月23日
公開日(公表日): 2001年08月31日
要約:
【要約】【課題】 微粒子の製造や、ダストの除去のために、微粒子を効率よく捕集する。【解決手段】 真空容器3内にガス供給システム1から反応ガスを導入し、上部電極4aと下部電極4bとの間でプラズマ6を発生させ、基板5の表面に対して薄膜堆積やエッチングなどのプロセスを行う。プラズマ6中では、ダスト7となる微粒子も生成される。ガスの流れ16に沿って真空排気ポンプ14側に流れるダスト7に対し、レーザー光11を照射すると、ダスト7の微粒子がレーザー光11によって引き込まれ、プラズマ6中から分離して、ダストトラップ13に捕集することができる。薄膜プロセスを実行しながらダストを除去することができるので、薄膜プロセスを効率よく行うことができる。
請求項(抜粋):
反応槽内に反応気体を導入しながら、微粒子を形成し成長させる際に、成長する微粒子が形成する微粒子雲に、製造すべき微粒子の大きさに対して予め定める対応関係を有する波長の光ビームを照射し、該光ビームによって、該製造すべき大きさに成長した微粒子を、該微粒子雲から分離して捕集することを特徴とする微粒子製造方法。
IPC (4件):
H01L 21/205
, B22F 9/28
, C23C 16/44
, H01L 21/302
FI (4件):
H01L 21/205
, B22F 9/28 Z
, C23C 16/44 J
, H01L 21/302 Z
Fターム (28件):
4K017BA10
, 4K017CA08
, 4K017EF05
, 4K017EK03
, 4K030AA06
, 4K030CA04
, 4K030EA12
, 4K030FA03
, 4K030KA08
, 4K030KA36
, 4K030KA49
, 5F004AA13
, 5F004AA16
, 5F004BA04
, 5F004BB03
, 5F004BB13
, 5F004BB28
, 5F004BC02
, 5F004CB09
, 5F045BB14
, 5F045EB06
, 5F045EC03
, 5F045EG08
, 5F045EH13
, 5F045EK15
, 5F045EK17
, 5F045EK18
, 5F045GB04
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