特許
J-GLOBAL ID：200903045307478160

トンネル磁気抵抗素子、磁気ヘッドおよび磁気メモリ

発明者：
指宿 隆弘

指宿 隆弘 について

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佐藤 雅重

佐藤 雅重 について

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梅原 慎二郎

梅原 慎二郎 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-265599
公開番号（公開出願番号）：特開2008-085208
出願日： 2006年09月28日
公開日（公表日）： 2008年04月10日
要約：
【課題】大きなMR比を示すTMR素子を提供する。【解決手段】磁化固定層4と磁化自由層6の間にトンネルバリア層5を有し、磁化自由層6上にキャップ層7を設けたTMR素子1において、トンネルバリア層5をMgO膜により構成し、磁化自由層6をCoFeB膜により構成すると共に、そのCoFeB膜直上に、それに接するようにTi膜を形成してキャップ層7を構成する。これにより、TMR素子1のMR比を大幅に向上させることができる。また、このようなTMR素子1を磁気ヘッドやMRAMに用いることにより、その高性能化を図ることが可能になる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
磁化の向きが固定された磁化固定層と、 前記磁化固定層上に形成されたトンネルバリア層と、 前記トンネルバリア層上に形成され、コバルト鉄ボロン膜により構成された、磁化の向きが可変の磁化自由層と、 チタン膜を備え、前記磁化自由層上に前記チタン膜が接するように形成されたキャップ層と、 を有することを特徴とするトンネル磁気抵抗素子。
IPC (6件)：
H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32
FI (7件)：
H01L43/08 Z ,  H01L43/08 M ,  H01L43/08 H ,  H01L27/10 447 ,  G11B5/39 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32
Fターム (46件)：
4M119AA15 ,  4M119BB01 ,  4M119CC02 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE03 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119FF05 ,  4M119FF06 ,  4M119JJ03 ,  4M119JJ09 ,  5D034BA03 ,  5D034BA15 ,  5D034BB09 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049BA06 ,  5E049BA12 ,  5F092AA02 ,  5F092AB03 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092BB03 ,  5F092BB04 ,  5F092BB09 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB36 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BB55 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC18 ,  5F092BC22 ,  5F092BE24 ,  5F092BE27 ,  5F092CA02 ,  5F092CA23 ,  5F092CA25
引用特許：
出願人引用 (2件)

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